商傳媒｜記者許方達／綜合報導
研調機構集邦科技(TrendForce)最新報告指出，台積電3奈米高價製程貢獻營收比重大增，去年第4季全球晶圓代工市占率衝上61.2%，不但創新高，更遙遙領先三星的11.3%。至於一直把台積電當假想敵的英特爾超落漆，受到CPU新舊產品世代交替、備貨動能不彰等因素影響，英特爾去年第4季晶圓代工事業遭力積電(1%)、合肥晶合集成(1%)及世界先進(1%)，聯手擠出前十大榜單。
根據統計，去年第4季全球前十大晶圓代工廠中，高達六家廠商市占率均衰退；前十大廠市占率總和則維持與前一季相當、達95%。法人解讀，這代表同業流失的市占幾乎都被台積電吸走。
不僅在晶圓代工節節敗退，三星在高頻寬記憶體(HBM)的競爭版圖也敬陪末座，《路透》報導指出，三星電子在HBM晶片落後的其中一個原因，是堅持使用稱為非導電薄膜(NCF)的晶片製造技術，進而導致一些生產問題；而SK海力士則是以大規模回流模製底部填充(MR-MUF)方法，來解決NCF的弱點。
三星決定改採MUF技術，突顯AI記憶體晶片版圖競爭激烈。圖片來源：美光
目前全球記憶體龍頭美光(Micron)搶先宣布，已正式量產最新高頻寬記憶體HBM3E，新產品將用於輝達今年第2季出貨的頂級H200 Tensor Core GPU。根據市場推估，SK海力士的HBM3生產良率約達60%至70%，至於三星的HBM3晶片良率則落在10%至20%。
消息人士透露，為了追趕進度，三星決定轉換跑道、改採購用於處理MUF技術的晶片製造設備，也正與材料製造商進行洽談，其中包括日本長瀨。要看到三星使用MUF技術大規模生產AI高階晶片，預計最快可能要到明年才能準備就緒，在此之前三星還需要進行更多測試。
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