南亞科董事長吳嘉昭今天表示，隨著DRAM主要供應商減產效應逐步浮現，加上生成式AI帶來高頻寬記憶體（HBM）及DDR5強勁需求，相對降低DDR4及DDR3產出及庫存水位，預期今年DRAM市場可望穩健復甦。
台塑集團動態隨機存取記憶體（DRAM）廠南亞科今天召開股東常會，吳嘉昭說，受地緣政治等因素影響，DRAM產業連續兩年景氣下滑，南亞科去年營收新台幣298.9億元，年減47.5%，稅後淨損74.4億元，每股虧損2.4元。
吳嘉昭表示，去年下半年開始DRAM主要廠商減產，效應逐漸浮現，加上生成式人工智慧（AI）帶來HBM及DDR5強勁需求，相對降低DDR4及DDR3產出及庫存水位。
吳嘉昭說，DRAM是所有電子產品數位化的重要零件，用途廣泛。在伺服器方面，雲端業者正擴大投資AI伺服器，其他企業用戶也增加通用型伺服器採購，整體伺服器出貨可望顯著成長
手機方面，去年下半年新機上市，增強市場復甦，由於手機導入AI功能使得DRAM搭載量持續增加。電腦方面，庫存已降至正常水準，隨著軟硬體升級需求，及AI PC推出，將帶動換機潮，預期DRAM搭載量也將同步增長。
吳嘉昭表示，電視及機上盒等產品，因為奧運等運動賽事將加速成長。另外，具備更高傳輸速率的WiFi 7問世，會增強網通產品銷售，消費性電子產品也會回到正常成長軌道。
吳嘉昭說，今年DRAM各終端應用市場需求會成長，主要DRAM供應商會著重在HBM和DDR5產品，將有助於DDR4供需改善，平均銷售單價也會上揚，DRAM市場可望穩健復甦。
至於技術發展，吳嘉昭表示，南亞科第2代10奈米（1B）製程前導產品去年投片試產，預計今年會開始生產3顆產品，有助於擴大產品線，貢獻營收。
第3代10奈米（1C）製程功能測試晶片正在試產，先導產品設計同步進行，第1顆產品預計明年初進入試產。此外，南亞科還開發TSV矽穿孔製程技術，預計推出高容量DRAM模組，供應伺服器市場。
吳嘉昭指出，今年會有更多產能轉進1B製程技術，加上新廠營建工程支出，預計今年資本支出約260億元。
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