比利時微電子研究中心（imec）今天宣布，與台積電和艾斯摩爾（ASML）在IEEEJSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會，發表一套創新、穩健且可擴充性的12吋晶圓整合技術路徑，可用於2D材料的n型與p型場效電晶體（FET）。
imec發布新聞稿指出，這是首次展示搭配50奈米閘極間距的微型化nFET（採用二硫化鉬作為通道材料）與pFET（二硫化鎢或二硒化鎢），並且取得良好的電流電壓特性。象徵著2D材料電晶體從實驗室邁向晶圓廠的關鍵進展，預期用於超高度微縮化的邏輯元件，以及後段製程和晶背應用。
台積電技術研究副總經理暨技術長曹敏表示，研究合作為推進半導體創新發展提供重要動力，聚焦為「從實驗室邁向晶圓廠」的技術轉變降低風險和加速進展，確保開創性發現，特別是創新的通道材料，能夠快速有效地整合到先進製造，最終提供頂尖的解決方案。
ASML指出，2D過渡金屬二硫族化物（TMD）材料可望超越矽材，實現更小尺寸、更高性能的電晶體，不過目前採用12吋晶圓製程所展示的2D材料通道元件其實尺寸較大，也採用較舊的微影技術。
ASML表示，透過極紫外光（EUV）微影技術提供的更高解析度，成功製出通道長度短至28奈米的TMD電晶體，間距也與最先進的電晶體節點相容。
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