杰力投入GaN研發 攻5G、快充時報-台北電 (2020-05-29 08:22:56)

金氧半場效電晶體(MOSFET)廠杰力(5299)宣布投入氮化鎵(GaN)技術研發。法人指出,雖目前仍在技術研發階段,不過未來有機會藉此切入快充及5G基礎建設等市場,成推動業績成長重要推手。
氮化鎵在功率半導體市場已經被視為下一代新產品,且具備體積小、耐高壓等特性,因此舉凡意法半導體(STM)及瑞薩電子(Renesas Electronics)等國際IDM大廠已經投入相關研發,且產能正逐步放大當中。

當前台灣半導體產業當中,台積電已經開始提供6吋GaN on Si(矽基氮化鎵)的晶圓代工服務,聯電也開始投入6吋矽基氮化鎵製程研發,未來有機會跨入8吋晶圓代工市場,顯示氮化鎵產品正逐步受到市場重視,成為未來功率半導體市場的新星。
根據杰力上傳的最新年報顯示,公司已經投入氮化鎵技術研發,並針對氮化鎵高電子移動率電晶體及其閘極結構申請台灣專利。法人預期,杰力最快有機會在2021年開始進入量產,且可望藉此攻入快充、5G基礎建設及資料中心等市場。
事實上,各大手機大廠在2020年開始推出氮化鎵技術的快充充電器,舉凡小米及OPPO等品牌並將氮化鎵快充列入盒裝標準配備,其他行動周邊廠也開始跟進這波趨勢,且後續筆電品牌亦有機會跟進採用導入到Type-C充電線,將使氮化鎵需求不斷水漲船高。
此外,觀察杰力MOSFET目前出貨狀況,由於居家辦公、遠端教育等需求推動筆電出貨暢旺,連帶讓MOSFET也成為被客戶追單的產品線之一。供應鏈指出,杰力目前已經向功率半導體晶圓代工廠加大投片力道,後續業績將逐步看旺。(新聞來源:工商時報─記者蘇嘉維/台北報導)
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