據報SK海力士改為採用台積電(TSM.US)3納米技術製造HBM4
外媒引述消息報道，SK海力士擬於明年下半年以3納米生產客製化的第六代高頻寬記憶體「HBM4」，而非原定的5納米製程，效能有望提升20%至30%。據悉，SK海力士已決定與台積電(TSM.US)合作開發HBM4，而主要出貨的客戶是英偉達(NVDA.US)。
市傳SK海力士改以台積電3納米技術製造HBM4，是為了回應三星以4納米生產HBM4的聲明。三星如今也考慮以3納米生產HBM4，甚至可能選用台積電的3納米技術。(jl/da)~
阿思達克財經新聞
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