華為Ascend晶片對比分析：中芯國際仍輸給台積電
最新曝光的Ascend系列晶片，包含台積電代工的Ascend 910，與據稱由中國中芯國際生產的Ascend 910B，兩者在核心數量、晶片尺寸及製程技術上展現了顯著差異。
編譯／莊閔棻
華為旗下海思半導體（HiSilicon）的人工智慧（AI）晶片近期成為科技圈熱議話題。最新曝光的Ascend系列晶片，包含台積電代工的Ascend 910，與據稱由中國中芯國際生產的Ascend 910B，兩者在核心數量、晶片尺寸及製程技術上展現了顯著差異。
台積電與中芯對比
據報導，Ascend 910由台積電的N7+製程技術生產，具備多層極紫外光微影製程（EUV）結構，晶片尺寸為456.25 mm²，而Ascend 910B則是由中芯國際的N+1製程技術製造，雖屬7奈米級製程，但其晶片尺寸達665.61 mm²，顯示出中芯製程的電晶體密度或低於台積電。
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核心數量與配置差異
台積電Ascend 910內部的Virtuvian AI處理模組，包含32個DaVinci Max AI核心，支持INT8與FP16數據格式，透過1024位網狀內部連接運行，提供高達每核心128 GB/s的頻寬；而Ascend 910B的核心數量則減少至25個，並換用了「新DaVinci」AI核心，可能在設計上進行了性能提升，但具體改進尚待驗證。
中國製程技術挑戰
中芯國際的N+1製程被視為中國半導體製造的一大突破，但與台積電N7+製程相比，仍顯不足。基於中芯技術電晶體密度較低，Ascend 910B的晶片尺寸顯著增加，代表在相同功能下，中芯技術需要更大的物理面積，才能實現。
技術差距仍需時間追趕
此次華為自產AI晶片的檢驗，不僅凸顯了台積電與中芯國際在技術上的差異，也表明中國半導體產業的進步空間。未來，隨著製程技術的成熟與AI核心設計的優化，中國製造晶片的國際競爭力或將逐步提升。
參考資料：Tom’s Hardware
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