力旺NeoFuse導入華邦25奈米DRAM製程自立晚報 (2019-06-26 02:10:06)

【記者柯安聰台北報導】力旺電子(3529)25日宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電子25奈米DRAM製程平台,即將進入量產階段,有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機。

NeoFuse矽智財使DRAM產品在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試均可進行修補,達到多次修補(Multi-Repair)的目的。與傳統雷射調校(Laser Trimming)相比,不僅降低調校成本與時間,並可使製造測試流程更加便利。尤其是在晶片封裝後仍可進行修補(Repair),大為提升多晶片封裝(MCP)產品的生產良率。

可相容於DRAM製程平台的NeoFuse技術提供優於一般工作範圍的操作電壓區間,有利於客戶在產品設計上具備彈性並有效降低功耗。此外,NeoFuse的高編程良率,只需一次編程便可將資料成功寫入,可大幅降低操作的複雜性和測試成本。

力旺與華邦除了現階段在25奈米DRAM製程的合作外,雙方更進一步進行NeoFuse在二代DRAM製程的開發計畫,預計在不久後即可完成佈建。(自立電子報2019/6/25)
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