ASML建立新實驗室 開放最先進微影製程設備
ASML作為提供全世界各大最先進半導體公司晶片製造機器的唯一生產商，於二月展示最新一代High NA EUV設備後，將預計與合作夥伴IMEC共同開放一測試實驗室，配備當今最高端的EUV微影製程設備，為高端晶片製造商、材料與設備供應商，提供使用高數值孔徑EUV原型掃描器的機會。
編譯／高晟鈞
ASML作為提供全世界各大最先進半導體公司晶片製造機器的唯一生產商，於二月展示最新一代High NA EUV設備後，將預計與合作夥伴IMEC共同開放一測試實驗室，配備當今最高端的EUV微影製程設備，為高端晶片製造商、材料與設備供應商，提供使用高數值孔徑EUV原型掃描器的機會。
微影製程系統
微影製程系統（Lithography）或稱光刻技術，是一種半導體元件製造的重要步驟，利用曝光和顯影在光阻層上先行刻畫幾何電路圖案（Pattern），然後通過蝕刻製程將圖形縮小轉印到包含矽晶圓、玻璃或其他上材料的基板上，此道製程便稱之為微影。
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微影製程可謂是摩爾定律的前哨戰地，乃兵家必爭之地。隨著工藝節點不斷縮小，光刻技術的波長也從紫外光（UV, 436nm、365nm）一路往深紫外光（DUV, 248nm、193nm），和如今最先進的極紫外光（EUV, 13.5nm）進迭代。
微影製程中若想要優化電路圖案的解析度有兩種做法，一是增加數值孔徑，二是降低光源波長。EUV微影製程選擇第二種作法，將光源波長降低至13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短，非常容易被大氣吸收，因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台便是由ALSM所開發出的Twinscan微影機所獨霸一方。
最新技術與產業合作
最新型的EUV微影製程機檯「High NA EUV」進一步增加了數值孔徑，可以製造更快、更小、更節能的晶片，標價為3.5億歐元，比前一代Low- NA EUV機檯（2億歐元）多出了近一倍。
目前，截至明年上半年為止的High NA EUV訂單已被英特爾一手拿下；然而，如今ASML開放了測試實驗室的操作，無疑提供另一管道，幫助其他潛在客戶與合作夥伴在下單前對該機檯熟悉與了解。
這項操作，無疑能幫助降低High NA EUV在2025至2026年投入大批生產前的技術風險，加快學習曲線，使其與製造業的銜接更為順利。
而對於IMEC來說，該實驗室將作為其位於魯汶的互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術的300毫米無塵室的延伸。現在，與 ASML 的聯合實驗室除了提供難得的機會來測試目前最先進的半導體技術，同時還保留歐洲的研發專業知識，可謂是雙贏局面。
資料來源:Thenextweb
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